Transistore unigiunzione (UJT)
Anche se l'UJT non è propriamente un tiristore ne descriviamo il funzionamento poiché sono molto utilizzati per l'innesco dei tiristori di potenza.
IL simbolo grafico dell'UJT è illustrato in fig. 20a, la costituzione interna in fig. 20b. Il dispositivo è costituito da una barretta di silicio le cui estremità sono collegate a due terminali denominati rispettivamente base B1 base B2. Sulla barretta, dalla parte di B2, viene realizzata una giunzione con una zona di tipo P fortemente drogata, che fa capo al terzo terminale, detto emettitore. La resistenza di interbase RBB , di valore, compreso fra 5KW e 10KW, risulta così suddivisa dalla giunzione in due resistenze interne RB1 e RB2. Si definisce come rapporto di stand-off il rapporto
h = RB1/(RB1 + RB2) = RB1 / RBB
Il valore di h è normalmente compreso tra 0,5 e 0,8. Per meglio comprendere il funzionamento dell'UJT e la caratteristica VE , IE conviene fare riferimento al modello di fig. 21a, dove sono evidenziate le due resistenze interne e la giunzione è rappresentata con un diodo. Considerando come parametro costante la tensione di interbase VBB, si vede che finché VE è minore di hVBB , la giunzione risulta polarizzata inversamente ed è quindi interessata da una corrente inversa IEO molto piccola. Allorché Ve raggiunge la tensione di picco VP = hVBB + Vg , il diodo inizia a condurre e nella barretta viene ignettato un elevato flusso di cariche, che innalza fortemente la concentrazione dei portatori, abbassando di conseguenza drasticamente la resistenza RB1. Diminuisce allora anche la tensione VE, finché RB1 non si stabilizza al suo valore minimo (qualche decina di ohm). Da questo punto (punto di valle) VE riprende a crescere al crescere di IE, come in un normale diodo. Nella caratteristica si possono individuare tre zone : zona di interdizione (OFF), delimitata da Ip , zona resistenza negativa , fra Ip e Iv, e zona di conduzione (ON), oltre Iv.
